2025年11月14日，应我校肉漫屋 和河南省信息功能材料与传感技术重点实验室邀请，日本东京电气通信大学工程科学系Hideo Issiki教授在四教楼310会议室做了题为“Toward Diamond Device Large Scale Heterogeneous Integration on Si Substrates”的学术报告，会议由副院长刘德伟主持，相关研究方向的教师及研究生参加了本次报告会。

会上，Hideo Issiki教授详细介绍了金刚石材料的优异物理特性与环境耐受性，及其在功率器件、传感器、光子器件等领域的广泛应用前景。他重点阐述了团队在硅衬底上IV族材料异质外延生长方面的最新研究成果，包括通过添加微量单甲基硅烷的偏压增强成核技术实现高取向金刚石成核，通过调控生长速率参数获得单晶金刚石，以及相关器件在导电性能和击穿电场方面的优异表现。同时，教授还分享了团队在选择性成核掩膜工艺等关键技术上的突破，为金刚石器件与硅大规模集成电路的集成应用提供了新思路。

报告结束后，国际合作与交流处谈处长一行与Hideo Issiki教授在会议室进行了座谈。双方围绕国际项目合作、教师访学、学生培养等议题深入交换意见并达成了初步共识，为后期国际合作交流奠定了坚实基础。Hideo Issiki教授对我校相关学科发展潜力给予高度评价，并表示愿意积极推动东京电气通信大学与我校在学术资源共享、人才联合培养等方面的实质性合作。

此次学术交流活动不仅为我校师生带来了金刚石器件领域的前沿学术视角，拓宽了科研思路，更搭建了我校与日本东京电气通信大学深化合作的重要桥梁，对促进学校相关学科国际化发展、提升人才培养质量和科研创新能力具有积极意义。